СО параметров шаговой структуры в тонком слое монокристаллического кремния ГСО 10030-2011

Градуировка, поверка и калибровка просвечивающих электронных микроскопов (ПЭМ), исследования и контроля метрологических характеристик ПЭМ при проведении их испытаний в целях утверждения типа.

Применяется в микро-, наноэлектронике, нанотехнологии, производстве полимеров и генной инженерии, создании наноструктурированных материалов, оснащении органов государственных и метрологических служб

Основные технические характеристики

Диапазон допускаемых аттестованных значений шага шаговой структуры

00÷2100 нм

Границы допускаемых значений абсолютной погрешности шага шаговой структуры при

Р=0,95: ±1

Диапазон допускаемых аттестованных значений расстояния d111 между плоскостями (111) монокристаллического кремния в материале СО

0,312÷0,315 нм

. Границы допускаемых значений абсолютной погрешности расстояния d111 между плоскостями (111) монокристаллического кремния в материале СО при Р=0,95

± 0,0005

Получить консультацию

СО параметров шаговой структуры в тонком слое монокристаллического кремния ГСО 10030-2011 .pdf (1,08 Мб)